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IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

Solo por referencia

Nº de pieza IPB042N10N3 G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Hoja de datos

IPB042N10N3 G Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 45.102 piece(s)
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Especificaciones IPB042N10N3 G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds8410pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-3
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IPB042N10N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB042N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB042N10N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB042N10N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB042N10N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB042N10N3 G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB042N10N3 G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# V36:1790_06378068

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

0

IPB042N10N3GATMA1

D# V72:2272_06378065

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# IPB042N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GE8187ATMA1)

RoHS: Compliant
0

IPB042N10N3GXT

D# IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GATMA1)

0

IPB042N10N3GATMA1

D# 47Y8047

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 47Y8047)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# SP000446880

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000446880)

RoHS: Compliant
0

IPB042N10N3 G

D# SP000446880

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000446880)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

2000

IPB042N10N3 G E8187

Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

0

IPB042N10N3GE818XT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

PG-TO-263-3 MOSFET RoHS

4391

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

N-Channel 100V 137A 3.5V @ 150uA 4.2mohms @ 100A,10V 214W TO-263-2 MOSFET RoHS

1464
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2020

1000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# IPB042N10N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

0

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

5060

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

48525

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

150
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# 2443431

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
289
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

92800

IPB042N10N3GATMA1

TO263-3

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

29464
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

D# C153801

Infineon Technologies AG

4391
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

100000

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

100000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0055491

Infineon Technologies AG

4000
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# 47Y8047

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0036ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G E8187

D# NS-IPB042N10N3 G E8187

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1412

IPB042N10N3 G

D# NS-IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4763
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 100A I(D), 100V, 0.0042OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

807
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# 8275237P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB042N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 10
Container: Reel
320
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

D# TMOSP9680

Infineon Technologies AG

N-CH 100V 100A 4mOhm TO263-3

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

9016

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

17825
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

99985

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

99985

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

shipping today

54
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3 G

D# 39812048

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

RFQ

7348
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor

12547
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB042N10N3GATMA1

D# 2443431

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0

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