| Nº de pieza | IPB038N12N3 G |
|---|---|
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| En existencias | 47.004 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Se puede enviar inmediatamente |
| Tiempo estimado de entrega | dic 25 - dic 30 (Elija envío expedito) |
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| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13800pF @ 60V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT8209AI-G3-25S-150.000000X | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 50PPM, 2.5V, 1, -, OptiMOS? | Ver |
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SIT8208AI-22-33S-32.768000Y | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 25PPM, 3.3V, 3, -, OptiMOS? | Ver |
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2220Y0160181GCR | Knowles Syfer, CAP CER 2220, 2220 (5750 Metric), OptiMOS? | Ver |
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VJ1210Y102JXLAT5Z | Vishay Vitramon, CAP CER 1000PF 630V X7R 1210, 1210 (3225 Metric), OptiMOS? | Ver |
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CL21B475KQFNNNE | Samsung, CAP CER 4.7UF 6.3V X7R 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Ver |
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XC6121D718MR-G | Torex Semiconductor Ltd, IC WATCHDOG TIMER SOT-25, SC-74A, SOT-753, OptiMOS? | Ver |
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TMPG06-27AHE3_A/C | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 37.5VC 10.7A MPG06, MPG06, Axial, OptiMOS? | Ver |
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34ASP1LM2RT | Grayhill Inc., SWITCH TOGGLE SPDT 0.4VA 20V, -, OptiMOS? | Ver |
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ESQT-116-02-F-D-775 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, OptiMOS? | Ver |
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MS3126E20-16P | Amphenol Industrial Operations, CONN PLUG 16POS STRAIGHT W/PINS, -, OptiMOS? | Ver |
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CF10SC18RF | Souriau, CONTACT SOCKET 20-22AWG CRIMP, -, OptiMOS? | Ver |
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TBF16-11PS | ITT Cannon, LLC, CONN ADAPTER 2P-2P F-M PNL MNT, -, OptiMOS? | Ver |
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| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# V72:2272_06377059 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# IPB038N12N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB038N12N3GATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# SP000694160 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000694160) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# IPB038N12N3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK |
2 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# 2212825RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 120V, 120A, TO263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 120 V 3.8 mOhm 158 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1735 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# 726-IPB038N12N3GATMA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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419 |
IPB038N12N3 G D# 726-IPB038N12N3GXT |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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1053 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# 47W3464 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CHANNEL, 120V, 120A, TO263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:120V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0032ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1061 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# 7545437P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 120 A, 120 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB038N12N3GATMA1, RL Min Qty: 1
Container: Reel
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4436 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2531 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# 42245993 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
IPB038N12N3GATMA1 D# 2212825 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 120V, 120A, TO263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1361 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
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