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IPB029N06N3GATMA1

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Solo por referencia

Nº de pieza IPB029N06N3GATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 88.266 piece(s)
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Especificaciones IPB029N06N3GATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieOptiMOS™
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 118µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs165 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds13000 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-3
Paquete / cajaTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB029N06N3GATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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IPB029N06N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB029N06N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB029N06N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB029N06N3GATMA1.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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