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IPB019N06L3 G

IPB019N06L3 G

IPB019N06L3 G

Solo por referencia

Nº de pieza IPB019N06L3 G
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Hoja de datos

IPB019N06L3 G Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 13.206 piece(s)
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Especificaciones IPB019N06L3 G

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 196µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs166nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds28000pF @ 30V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-2
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IPB019N06L3 G

IPB019N06L3 G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPB019N06L3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB019N06L3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB019N06L3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB019N06L3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB019N06L3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB019N06L3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB019N06L3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB019N06L3 G?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

D# V72:2272_06377428

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GXT

D# IPB019N06L3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB019N06L3GATMA1)

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

D# SP000453020

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000453020)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

D# IPB019N06L3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

D# 2443430RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 1.9 mOhm 166 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2320
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3 G

D# 726-IPB019N06L3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
1
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

D# 8275293P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB019N06L3GATMA1, RL

Min Qty: 5
Container: Reel
745
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPB019N06L3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

478

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