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HUFA75652G3

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Nº de pieza HUFA75652G3
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Hoja de datos

HUFA75652G3 Hoja de datos

Paquete TO-247-3
ECAD
En existencias 3.360 piece(s)
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Especificaciones HUFA75652G3

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-247-3
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C75A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs475nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds7585pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)515W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247
Paquete / cajaTO-247-3

ficha técnica HUFA75652G3

HUFA75652G3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

HUFA75652G3 FAQ

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 75 A, 100 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

838
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D# 2156-HUFA75652G3-FS-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3

0
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VBsemi Electronics Co Ltd

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500
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Microsemi-IPG

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Fairchild Semiconductor Corporation

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