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HUFA75639G3

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Nº de pieza HUFA75639G3
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
Hoja de datos

HUFA75639G3 Hoja de datos

Paquete TO-247-3
ECAD
En existencias 2.720 piece(s)
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Especificaciones HUFA75639G3

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-247-3
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C56A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 56A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247-3
Paquete / cajaTO-247-3

ficha técnica HUFA75639G3

HUFA75639G3 Packaging

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Packing
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