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HUFA75321S3ST

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Solo por referencia

Nº de pieza HUFA75321S3ST
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Hoja de datos

HUFA75321S3ST Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 2.272 piece(s)
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Especificaciones HUFA75321S3ST

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C35A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 35A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorD2PAK (TO-263AB)
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica HUFA75321S3ST

HUFA75321S3ST Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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Fairchild Semiconductor Corporation

RoHS: Not Compliant
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Rochester Electronics LLC

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78278
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33750
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D# NS-HUFA75321S3ST

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

1772
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Fairchild Semiconductor Corporation

35A, 55V, 0.034ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
16000
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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