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HUF75329G3

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Solo por referencia

Nº de pieza HUF75329G3
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 55V 49A TO-247
Hoja de datos

HUF75329G3 Hoja de datos

Paquete TO-247-3
ECAD
En existencias 7.136 piece(s)
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Especificaciones HUF75329G3

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-247-3
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C49A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24 mOhm @ 49A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247
Paquete / cajaTO-247-3

ficha técnica HUF75329G3

HUF75329G3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

HUF75329G3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HUF75329G3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HUF75329G3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUF75329G3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 42 A, 55 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

514
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MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3

0
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13515
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Fairchild Semiconductor Corporation

164
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Fairchild Semiconductor Corporation

Semiconductor

11651
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OEM/CM ONLY

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