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GT011N03D5E

GT011N03D5E

GT011N03D5E

Solo por referencia

Nº de pieza GT011N03D5E
Fabricantes Goford Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 14.970 piece(s)
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Especificaciones GT011N03D5E

FabricantesGoford Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C209A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds6503 pF @ 15 V
Vgs (Max)±16V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-DFN (4.9x5.75)
Paquete / caja8-PowerTDFN

GT011N03D5E Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

GT011N03D5E FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GT011N03D5E is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GT011N03D5E. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GT011N03D5E on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GT011N03D5E products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GT011N03D5E price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GT011N03D5E?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of GT011N03D5E.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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