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GA16JT17-247

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Nº de pieza GA16JT17-247
Fabricantes GeneSiC Semiconductor
Descripción TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
Hoja de datos
Paquete TO-247-3
ECAD
En existencias 2.896 piece(s)
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Especificaciones GA16JT17-247

FabricantesGeneSiC Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo de FET-
TecnologíaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C16A (Tc) (90°C)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs110 mOhm @ 16A
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247AB
Paquete / cajaTO-247-3

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Packing
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GA16JT17-247 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA16JT17-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA16JT17-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA16JT17-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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78
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D# 1242-1136-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1700V 16A TO247AB

0
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GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1700V50m? TO-247-3

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# GS0000000000013

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1700V50m? TO-247-3

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# NS-GA16JT17-247

GeneSiC Semiconductor

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