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FF23MR12W1M1B11BOMA1

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FF23MR12W1M1B11BOMA1

Solo por referencia

Nº de pieza FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricantes Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Descripción MOSFET MODULE HALF 1200V 50A
Hoja de datos

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Hoja de datos

Paquete Module
ECAD
En existencias 3.824 piece(s)
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Especificaciones FF23MR12W1M1B11BOMA1

FabricantesInfineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
PaqueteModule
ECAD
SerieCoolSiC?
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETStandard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id5.55V @ 20mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3950pF @ 800V
Potencia - Max20mW
Temperatura de funcionamiento-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete / cajaModule
Paquete de dispositivo del proveedorModule

ficha técnica FF23MR12W1M1B11BOMA1

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that FF23MR12W1M1B11BOMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# E02:0323_11639611

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

IGBTs - Bulk (Alt: FF23MR12W1M1B11BOMA1)

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# SP001602224

Infineon Technologies AG

IGBTs (Alt: SP001602224)

0
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FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# FF23MR12W1M1B11BOMA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

106
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 2771413

Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
16
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel 1200 V 23 mOhm CoolSiC EasyDual PressFIT/NTC Mosfet Module

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

153
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 726-FF23MR12W1M1B11

Infineon Technologies AG

Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY

RoHS: Compliant
80
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 24AC8570

Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, On Resistance Rds(on):0.023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-, Threshold Voltage Vgs:4.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
16
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

LOW POWER EASY

RoHS: Compliant
304
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

182
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# 53811056

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# 2771413

Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
22

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