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FF23MR12W1M1B11BOMA1

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FF23MR12W1M1B11BOMA1

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Nº de pieza FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricantes Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Descripción MOSFET MODULE HALF 1200V 50A
Hoja de datos

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Paquete Module
ECAD
En existencias 3.824 piece(s)
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Especificaciones FF23MR12W1M1B11BOMA1

FabricantesInfineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
PaqueteModule
ECAD
SerieCoolSiC?
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETStandard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id5.55V @ 20mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3950pF @ 800V
Potencia - Max20mW
Temperatura de funcionamiento-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete / cajaModule
Paquete de dispositivo del proveedorModule

ficha técnica FF23MR12W1M1B11BOMA1

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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FF23MR12W1M1B11BOMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FF23MR12W1M1B11BOMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FF23MR12W1M1B11BOMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FF23MR12W1M1B11BOMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FF23MR12W1M1B11BOMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FF23MR12W1M1B11BOMA1 price and inventory displayed accurate?
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    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the FF23MR12W1M1B11BOMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the FF23MR12W1M1B11BOMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# E02:0323_11639611

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

 0
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D# FF23MR12W1M1B11BOMA1

 Infineon Technologies AG

IGBTs - Bulk (Alt: FF23MR12W1M1B11BOMA1)

RoHS: Compliant
 0
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D# SP001602224

 Infineon Technologies AG

IGBTs (Alt: SP001602224)

 0
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D# FF23MR12W1M1B11BOMA1-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

 106
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FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 2771413

 Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
 16
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

 Infineon Technologies AG

N-Channel 1200 V 23 mOhm CoolSiC EasyDual PressFIT/NTC Mosfet Module

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 153
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FF23MR12W1M1B11BOMA1

D# 726-FF23MR12W1M1B11

 Infineon Technologies AG

Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY

RoHS: Compliant
 80
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D# 24AC8570

 Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, On Resistance Rds(on):0.023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-, Threshold Voltage Vgs:4.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
 16
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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 Infineon Technologies AG

LOW POWER EASY

RoHS: Compliant
 304
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 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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D# 53811056

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

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D# 2771413

 Infineon Technologies AG

MOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

RoHS: Compliant
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