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FDD86113LZ

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FDD86113LZ

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Nº de pieza FDD86113LZ
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Hoja de datos

FDD86113LZ Hoja de datos

Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 27.780 piece(s)
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Especificaciones FDD86113LZ

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.1W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs104 mOhm @ 4.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorD-PAK (TO-252AA)
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ficha técnica FDD86113LZ

FDD86113LZ Packaging

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V36:1790_06337742

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Bulk (Alt: FDD86113LZ)

RoHS: Compliant
0
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FDD86113LZ)

RoHS: Compliant
0
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Fairchild Semiconductor Corporation

1498
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Fairchild Semiconductor Corporation

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

2500
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FDD86113LZ

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

RoHS: Compliant
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FDD86113LZ

D# FDD86113LZFSCT-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK

4035
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VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

15844
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FDD86113LZ

D# 3003927RL

ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FDD86113LZ

ON Semiconductor

N-Channel 100 V 104 mOhm Shielded Gate Power Trench Mosfet - DPAK-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FDD86113LZ

ON SEMICONDUCTOR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2875
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

18966
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D# 512-FDD86113LZ

ON Semiconductor

MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

RoHS: Compliant
4644
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

FDD86113LZ

D# 07AH3900

ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:5.5A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.087ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
135
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# NS-FDD86113LZ

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

2552
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Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 4.2A, 100V, 0.104ohm, N-Channel, MOSFET, TO-252

RoHS: Compliant
108
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Fairchild Semiconductor Corporation

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MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3

21286
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D# 3003927

ON Semiconductor

MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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