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FDD107AN06LA0

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Solo por referencia

Nº de pieza FDD107AN06LA0
Fabricantes Fairchild/ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Hoja de datos

FDD107AN06LA0 Hoja de datos

Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 4.704 piece(s)
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Especificaciones FDD107AN06LA0

FabricantesFairchild/ON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SeriePowerTrench?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds360pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs91 mOhm @ 10.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-252AA
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ficha técnica FDD107AN06LA0

FDD107AN06LA0 Packaging

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Packing
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