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E3M0120090J-TR

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Solo por referencia

Nº de pieza E3M0120090J-TR
Fabricantes Wolfspeed, Inc.
Descripción SIC, MOSFET, 120M, 900V, TO-263-
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Paquete -
ECAD
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Especificaciones E3M0120090J-TR

FabricantesWolfspeed, Inc.
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieE
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C22A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 600 V
Vgs (Max)+15V, -4V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-263-7
Paquete / cajaTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

E3M0120090J-TR Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that E3M0120090J-TR is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the E3M0120090J-TR price and inventory displayed accurate?
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