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BSZ011NE2LS5IATMA1

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Solo por referencia

Nº de pieza BSZ011NE2LS5IATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
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Especificaciones BSZ011NE2LS5IATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieOptiMOS™ 5
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C35A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 12 V
Vgs (Max)±16V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TSDSON-8-FL
Paquete / caja8-PowerTDFN

BSZ011NE2LS5IATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSZ011NE2LS5IATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSZ011NE2LS5IATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSZ011NE2LS5IATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSZ011NE2LS5IATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSZ011NE2LS5IATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSZ011NE2LS5IATMA1 price and inventory displayed accurate?
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