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Nº de pieza | BSC046N10NS3GATMA1 |
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Fabricantes | Infineon Technologies |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
Hoja de datos | |
Paquete | 8-PowerTDFN |
ECAD | |
En existencias | 262.650 piece(s) |
Precio unitario | Request a Quote |
Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
Tiempo estimado de entrega | nov 25 - nov 30 (Elija envío expedito) |
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Métodos de pago | |
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Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 50Y1804 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y1804) RoHS: Compliant
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0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
15000 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# BSC046N10NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON |
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 2480739 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1027 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 50Y1804 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, 150DEG C, 156W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.004ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# NS-BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3526 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 100V, 0.0046OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
93 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 9064321 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC046N10NS3GATMA1, PK Min Qty: 4
Container: Package
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2 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9976 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
124 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 2480739 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
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