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2SK3430-Z-E1-AZ

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Solo por referencia

Nº de pieza 2SK3430-Z-E1-AZ
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Hoja de datos

2SK3430-Z-E1-AZ Hoja de datos

Paquete TO-220-3
ECAD
En existencias 3.968 piece(s)
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Especificaciones 2SK3430-Z-E1-AZ

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2800pF @ 10V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.5W (Ta), 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220AB
Paquete / cajaTO-220-3

ficha técnica 2SK3430-Z-E1-AZ

2SK3430-Z-E1-AZ Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SK3430-Z-E1-AZ is from the original manufacturer or authorized agents?
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# 2SK3430-Z-E1-AZ-ND

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MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Renesas Electronics Corporation

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1125
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

2SK3430ZE1AZ

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

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